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DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

僅供參考

型號 DMN3035LWN-7
PNEDA編號 DMN3035LWN-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
制造商 Diodes Incorporated
單價
1 ---------- $5.1896
250 ---------- $4.9464
500 ---------- $4.7031
1,000 ---------- $4.4598
2,500 ---------- $4.2571
5,000 ---------- $4.0544
庫存 16,800
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3035LWN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3035LWN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3035LWN-7, DMN3035LWN-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 336.92 KB)
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DMN3035LWN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds399pF @ 15V
功率-最大770mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝V-DFN3020-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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8.8nC @ 4.5V

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