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DMN3060LVT-13

DMN3060LVT-13

僅供參考

型號 DMN3060LVT-13
PNEDA編號 DMN3060LVT-13
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3060LVT-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3060LVT-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3060LVT-13, DMN3060LVT-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 500.47 KB)
PDFDMN3060LVT-13數據表 封面
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DMN3060LVT-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

功率-最大

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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