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DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

僅供參考

型號 DMN53D0L-7
PNEDA編號 DMN53D0L-7
描述 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 42,249
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN53D0L-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN53D0L-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN53D0L-7, DMN53D0L-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 332.53 KB)
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DMN53D0L-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)370mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5199pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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83A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 41.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9820pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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