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DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

僅供參考

型號 DMNH6012SPS-13
PNEDA編號 DMNH6012SPS-13
描述 MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH6012SPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH6012SPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMNH6012SPS-13, DMNH6012SPS-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 651.08 KB)
PDFDMNH6012SPS-13數據表 封面
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DMNH6012SPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1926pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 95µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

70V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.1A (Ta), 65.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

217pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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