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DMNH6065SPDW-13

DMNH6065SPDW-13

僅供參考

型號 DMNH6065SPDW-13
PNEDA編號 DMNH6065SPDW-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH6065SPDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH6065SPDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMNH6065SPDW-13, DMNH6065SPDW-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 498.95 KB)
PDFDMNH6065SPDW-13數據表 封面
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DMNH6065SPDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 30V

功率-最大

1.4W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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