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DMNH6065SPDWQ-13

DMNH6065SPDWQ-13

僅供參考

型號 DMNH6065SPDWQ-13
PNEDA編號 DMNH6065SPDWQ-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH6065SPDWQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH6065SPDWQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMNH6065SPDWQ-13, DMNH6065SPDWQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 395.53 KB)
PDFDMNH6065SPDWQ-13數據表 封面
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DMNH6065SPDWQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

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2.5W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 10V

功率-最大

900mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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