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DMP6050SFG-13

DMP6050SFG-13

僅供參考

型號 DMP6050SFG-13
PNEDA編號 DMP6050SFG-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 104,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP6050SFG-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP6050SFG-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP6050SFG-13, DMP6050SFG-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 551.62 KB)
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DMP6050SFG-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1293pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

176nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

51W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

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