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DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

僅供參考

型號 DMT6007LFG-13
PNEDA編號 DMT6007LFG-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT6007LFG-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT6007LFG-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT6007LFG-13, DMT6007LFG-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 309.14 KB)
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DMT6007LFG-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2090pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 30V

FET功能

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25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

598pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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178W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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