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DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

僅供參考

型號 DMT6016LFDF-7
PNEDA編號 DMT6016LFDF-7
描述 MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 356,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT6016LFDF-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT6016LFDF-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT6016LFDF-7, DMT6016LFDF-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 446.78 KB)
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DMT6016LFDF-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds864pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)820mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

331pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.04mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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