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DS1225AD-200IND

DS1225AD-200IND

僅供參考

型號 DS1225AD-200IND
PNEDA編號 DS1225AD-200IND_5B
描述 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1225AD-200IND資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1225AD-200IND
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1225AD-200IND, DS1225AD-200IND數據表 (總頁數: 9, 大小: 204.42 KB)
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DS1225AD-200IND規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁200ns
訪問時間200ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-EDIP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)

供應商設備包裝

28-SOP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC

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