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ECH8657-TL-H

ECH8657-TL-H

僅供參考

型號 ECH8657-TL-H
PNEDA編號 ECH8657-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 35V 4.5A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 24 - 十二月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8657-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8657-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8657-TL-H, ECH8657-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 303.73 KB)
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ECH8657-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)35V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs59mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 20V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.5pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

337pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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