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ECH8662-TL-H

ECH8662-TL-H

僅供參考

型號 ECH8662-TL-H
PNEDA編號 ECH8662-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8662-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8662-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8662-TL-H, ECH8662-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 311.46 KB)
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ECH8662-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1130pF @ 20V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1931pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

功率-最大

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