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EGF1BHE3/5CA

EGF1BHE3/5CA

僅供參考

型號 EGF1BHE3/5CA
PNEDA編號 EGF1BHE3-5CA
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGF1BHE3/5CA資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGF1BHE3/5CA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGF1BHE3/5CA, EGF1BHE3/5CA數據表 (總頁數: 4, 大小: 75.97 KB)
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EGF1BHE3/5CA規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214BA
供應商設備包裝DO-214BA (GF1)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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80V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 80V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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SOD-64

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 50V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.32V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AC (SMA)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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