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EGL34AHE3_A/H

EGL34AHE3_A/H

僅供參考

型號 EGL34AHE3_A/H
PNEDA編號 EGL34AHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL34AHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL34AHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL34AHE3_A/H, EGL34AHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.9 KB)
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EGL34AHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F7pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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40V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 10V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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SOD-123F

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Micro Commercial Co

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-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

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