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EGL34CHE3_A/I

EGL34CHE3_A/I

僅供參考

型號 EGL34CHE3_A/I
PNEDA編號 EGL34CHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL34CHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL34CHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL34CHE3_A/I, EGL34CHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.9 KB)
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EGL34CHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F7pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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490mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

34ns

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 45V

電容@ Vr,F

1170pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 1V, 1MHz

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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