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EM6HC08EWUG-10H

EM6HC08EWUG-10H

僅供參考

型號 EM6HC08EWUG-10H
PNEDA編號 EM6HC08EWUG-10H
描述 1GB 128MX8 DDR3
制造商 Etron Technology, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6HC08EWUG-10H資源

品牌 Etron Technology, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6HC08EWUG-10H
類別半導體內存IC內存

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EM6HC08EWUG-10H規格

制造商Etron Technology, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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