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ES3JHM6G

ES3JHM6G

僅供參考

型號 ES3JHM6G
PNEDA編號 ES3JHM6G
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3JHM6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3JHM6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3JHM6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

6A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

110µA @ 650V

電容@ Vr,F

190pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 600V

電容@ Vr,F

1250pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

2020A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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