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ESH1PBHE3/84A

ESH1PBHE3/84A

僅供參考

型號 ESH1PBHE3/84A
PNEDA編號 ESH1PBHE3-84A
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH1PBHE3/84A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH1PBHE3/84A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH1PBHE3/84A, ESH1PBHE3/84A數據表 (總頁數: 5, 大小: 99.22 KB)
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ESH1PBHE3/84A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 219.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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