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FCA35N60

FCA35N60

僅供參考

型號 FCA35N60
PNEDA編號 FCA35N60
描述 MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,720
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FCA35N60資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FCA35N60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FCA35N60, FCA35N60數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,534.61 KB)
PDFFCA35N60數據表 封面
FCA35N60數據表 頁面 2 FCA35N60數據表 頁面 3 FCA35N60數據表 頁面 4 FCA35N60數據表 頁面 5 FCA35N60數據表 頁面 6 FCA35N60數據表 頁面 7 FCA35N60數據表 頁面 8 FCA35N60數據表 頁面 9 FCA35N60數據表 頁面 10

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FCA35N60規格

制造商ON Semiconductor
系列SuperFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs98mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs181nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6640pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)312.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

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制造商

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系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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