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FD6M043N08

FD6M043N08

僅供參考

型號 FD6M043N08
PNEDA編號 FD6M043N08
描述 MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD6M043N08資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD6M043N08
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FD6M043N08, FD6M043N08數據表 (總頁數: 9, 大小: 779.12 KB)
PDFFD6M043N08數據表 封面
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FD6M043N08規格

制造商ON Semiconductor
系列Power-SPM™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs148nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6180pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱EPM15
供應商設備包裝EPM15

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

370mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

功率-最大

380mW

工作溫度

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2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

637pF @ 30V

功率-最大

1.81W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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