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FDC6506P

FDC6506P

僅供參考

型號 FDC6506P
PNEDA編號 FDC6506P
描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 101,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6506P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6506P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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FDC6506P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.8A, 7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 15V

功率-最大

3.1W, 2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC, 12.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF, 1550pF @ 25V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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