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FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

僅供參考

型號 FDG6301N-F085P
PNEDA編號 FDG6301N-F085P
描述 DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6301N-F085P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6301N-F085P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6301N-F085P, FDG6301N-F085P數據表 (總頁數: 6, 大小: 618.09 KB)
PDFFDG6301N-F085P數據表 封面
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FDG6301N-F085P規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.5pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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7A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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工作溫度

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