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FDJ1032C

FDJ1032C

僅供參考

型號 FDJ1032C
PNEDA編號 FDJ1032C
描述 MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDJ1032C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDJ1032C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDJ1032C, FDJ1032C數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,070.47 KB)
PDFFDJ1032C數據表 封面
FDJ1032C數據表 頁面 2 FDJ1032C數據表 頁面 3 FDJ1032C數據表 頁面 4 FDJ1032C數據表 頁面 5 FDJ1032C數據表 頁面 6 FDJ1032C數據表 頁面 7 FDJ1032C數據表 頁面 8 FDJ1032C數據表 頁面 9

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FDJ1032C規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A, 2.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 10V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC75-6 FLMP
供應商設備包裝SC75-6 FLMP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 4.5V

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2V @ 250µA

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20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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