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FDP12N50

FDP12N50

僅供參考

型號 FDP12N50
PNEDA編號 FDP12N50
描述 MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDP12N50資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDP12N50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDP12N50, FDP12N50數據表 (總頁數: 12, 大小: 742.32 KB)
PDFFDP12N50數據表 封面
FDP12N50數據表 頁面 2 FDP12N50數據表 頁面 3 FDP12N50數據表 頁面 4 FDP12N50數據表 頁面 5 FDP12N50數據表 頁面 6 FDP12N50數據表 頁面 7 FDP12N50數據表 頁面 8 FDP12N50數據表 頁面 9 FDP12N50數據表 頁面 10 FDP12N50數據表 頁面 11

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FDP12N50規格

制造商ON Semiconductor
系列UniFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1315pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)165W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

565pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (5x6)

包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.45mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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