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IXFL32N120P

IXFL32N120P

僅供參考

型號 IXFL32N120P
PNEDA編號 IXFL32N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFL32N120P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFL32N120P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFL32N120P, IXFL32N120P數據表 (總頁數: 5, 大小: 129.81 KB)
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IXFL32N120P數據表 頁面 2 IXFL32N120P數據表 頁面 3 IXFL32N120P數據表 頁面 4 IXFL32N120P數據表 頁面 5

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IXFL32N120P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs340mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds21000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUSi5-Pak™
包裝/箱ISOPLUSi5-Pak™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5090pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

840mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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