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FDS6912A

FDS6912A

僅供參考

型號 FDS6912A
PNEDA編號 FDS6912A
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 52,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS6912A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS6912A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS6912A, FDS6912A數據表 (總頁數: 5, 大小: 182.46 KB)
PDFFDS6912A數據表 封面
FDS6912A數據表 頁面 2 FDS6912A數據表 頁面 3 FDS6912A數據表 頁面 4 FDS6912A數據表 頁面 5

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FDS6912A規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.1nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds575pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180Ohm @ 20mA, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10.8pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

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