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HUFA76407DK8T-F085

HUFA76407DK8T-F085

僅供參考

型號 HUFA76407DK8T-F085
PNEDA編號 HUFA76407DK8T-F085
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUFA76407DK8T-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUFA76407DK8T-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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HUFA76407DK8T-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

功率-最大

2.7W

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

27.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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34nC @ 10V

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