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FGA6560WDF

FGA6560WDF

僅供參考

型號 FGA6560WDF
PNEDA編號 FGA6560WDF
描述 IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA6560WDF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA6560WDF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA6560WDF, FGA6560WDF數據表 (總頁數: 10, 大小: 2,542.12 KB)
PDFFGA6560WDF數據表 封面
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FGA6560WDF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)180A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 60A
功率-最大306W
開關能量2.46mJ (on), 520µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用84nC
25°C時的Td(開/關)25.6ns/71ns
測試條件400V, 60A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)110ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 60A

功率-最大

156W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

257nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/243ns

測試條件

600V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 35A

功率-最大

300W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

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反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

198W

開關能量

1.9mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/580ns

測試條件

800V, 15A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

170W

開關能量

690µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/194ns

測試條件

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

112ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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