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FPNH10

FPNH10

僅供參考

型號 FPNH10
PNEDA編號 FPNH10
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FPNH10資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FPNH10
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
FPNH10, FPNH10數據表 (總頁數: 7, 大小: 91.8 KB)
PDFFPNH10數據表 封面
FPNH10數據表 頁面 2 FPNH10數據表 頁面 3 FPNH10數據表 頁面 4 FPNH10數據表 頁面 5 FPNH10數據表 頁面 6 FPNH10數據表 頁面 7

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FPNH10規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

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安裝類型

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12V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

BLT80,115

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 150mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

CEL

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

9.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

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包裝/箱

SC-82A, SOT-343

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