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FQAF33N10L

FQAF33N10L

僅供參考

型號 FQAF33N10L
PNEDA編號 FQAF33N10L
描述 MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQAF33N10L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQAF33N10L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQAF33N10L, FQAF33N10L數據表 (總頁數: 8, 大小: 647.94 KB)
PDFFQAF33N10L數據表 封面
FQAF33N10L數據表 頁面 2 FQAF33N10L數據表 頁面 3 FQAF33N10L數據表 頁面 4 FQAF33N10L數據表 頁面 5 FQAF33N10L數據表 頁面 6 FQAF33N10L數據表 頁面 7 FQAF33N10L數據表 頁面 8

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FQAF33N10L規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1630pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PF
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1667pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.98W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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IPD50R800CEATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CE

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 1.5A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

939pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.17W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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