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FQAF58N08

FQAF58N08

僅供參考

型號 FQAF58N08
PNEDA編號 FQAF58N08
描述 MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQAF58N08資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQAF58N08
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQAF58N08, FQAF58N08數據表 (總頁數: 8, 大小: 612.77 KB)
PDFFQAF58N08數據表 封面
FQAF58N08數據表 頁面 2 FQAF58N08數據表 頁面 3 FQAF58N08數據表 頁面 4 FQAF58N08數據表 頁面 5 FQAF58N08數據表 頁面 6 FQAF58N08數據表 頁面 7 FQAF58N08數據表 頁面 8

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FQAF58N08規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs65nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PF
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1633pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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