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FQD2N100TF

FQD2N100TF

僅供參考

型號 FQD2N100TF
PNEDA編號 FQD2N100TF
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD2N100TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD2N100TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD2N100TF, FQD2N100TF數據表 (總頁數: 9, 大小: 846.88 KB)
PDFFQD2N100TF數據表 封面
FQD2N100TF數據表 頁面 2 FQD2N100TF數據表 頁面 3 FQD2N100TF數據表 頁面 4 FQD2N100TF數據表 頁面 5 FQD2N100TF數據表 頁面 6 FQD2N100TF數據表 頁面 7 FQD2N100TF數據表 頁面 8 FQD2N100TF數據表 頁面 9

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FQD2N100TF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3142pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

860mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

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功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

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