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FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

僅供參考

型號 FQD30N06LTF
PNEDA編號 FQD30N06LTF
描述 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD30N06LTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD30N06LTF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD30N06LTF, FQD30N06LTF數據表 (總頁數: 9, 大小: 734.42 KB)
PDFFQD30N06LTF數據表 封面
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FQD30N06LTF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1040pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

225mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

177pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

167nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9473pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 106A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9575pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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