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FQPF28N15T

FQPF28N15T

僅供參考

型號 FQPF28N15T
PNEDA編號 FQPF28N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF28N15T資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF28N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF28N15T, FQPF28N15T數據表 (總頁數: 8, 大小: 758.08 KB)
PDFFQPF28N15T數據表 封面
FQPF28N15T數據表 頁面 2 FQPF28N15T數據表 頁面 3 FQPF28N15T數據表 頁面 4 FQPF28N15T數據表 頁面 5 FQPF28N15T數據表 頁面 6 FQPF28N15T數據表 頁面 7 FQPF28N15T數據表 頁面 8

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FQPF28N15T規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 8.35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

641pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

277.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.5A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.98mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4270pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

功耗(最大值)

3W (Ta), 26W (Tc)

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