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PHM12NQ20T,518

PHM12NQ20T,518

僅供參考

型號 PHM12NQ20T,518
PNEDA編號 PHM12NQ20T-518
描述 MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHM12NQ20T資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHM12NQ20T,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PHM12NQ20T, PHM12NQ20T數據表 (總頁數: 12, 大小: 236.79 KB)
PDFPHM12NQ20T數據表 封面
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PHM12NQ20T規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HVSON (6x5)
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Ta), 47.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2706pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.66W (Ta), 33.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-WDFN (3.3x3.3)

包裝/箱

8-PowerWDFN

IRF6612TR1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3970pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

512pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2840pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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