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FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

僅供參考

型號 FQT7N10LTF
PNEDA編號 FQT7N10LTF
描述 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 835,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQT7N10LTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQT7N10LTF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQT7N10LTF, FQT7N10LTF數據表 (總頁數: 9, 大小: 881.92 KB)
PDFFQT7N10LTF數據表 封面
FQT7N10LTF數據表 頁面 2 FQT7N10LTF數據表 頁面 3 FQT7N10LTF數據表 頁面 4 FQT7N10LTF數據表 頁面 5 FQT7N10LTF數據表 頁面 6 FQT7N10LTF數據表 頁面 7 FQT7N10LTF數據表 頁面 8 FQT7N10LTF數據表 頁面 9

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FQT7N10LTF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

990mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

594pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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19mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1304pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.03W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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