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FQU3P50TU

FQU3P50TU

僅供參考

型號 FQU3P50TU
PNEDA編號 FQU3P50TU
描述 MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU3P50TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU3P50TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU3P50TU, FQU3P50TU數據表 (總頁數: 9, 大小: 761.24 KB)
PDFFQU3P50TU數據表 封面
FQU3P50TU數據表 頁面 2 FQU3P50TU數據表 頁面 3 FQU3P50TU數據表 頁面 4 FQU3P50TU數據表 頁面 5 FQU3P50TU數據表 頁面 6 FQU3P50TU數據表 頁面 7 FQU3P50TU數據表 頁面 8 FQU3P50TU數據表 頁面 9

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FQU3P50TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

274pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.7mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 61µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3220pF @ 60V

FET功能

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107W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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