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GA16JT17-247

GA16JT17-247

僅供參考

型號 GA16JT17-247
PNEDA編號 GA16JT17-247
描述 TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GA16JT17-247資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GA16JT17-247
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GA16JT17-247, GA16JT17-247數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,374.99 KB)
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GA16JT17-247規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
FET類型-
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓(Vdss)1700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc) (90°C)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 16A
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)282W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AB
包裝/箱TO-247-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.2mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 139W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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30V

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300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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