GA50JT06-258
僅供參考
| 型號 | GA50JT06-258 |
| PNEDA編號 | GA50JT06-258 |
| 描述 | TRANS SJT 600V 100A |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,300 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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GA50JT06-258資源
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | GA50JT06-258 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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GA50JT06-258規格
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 100A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | - |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Vgs（th）（最大）@ ID | - |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | - |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 769W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | TO-258 |
| 包裝/箱 | TO-258-3, TO-258AA |
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