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GC05MPS12-252

GC05MPS12-252

僅供參考

型號 GC05MPS12-252
PNEDA編號 GC05MPS12-252
描述 SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GC05MPS12-252資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GC05MPS12-252
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GC05MPS12-252, GC05MPS12-252數據表 (總頁數: 7, 大小: 634.8 KB)
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GC05MPS12-252規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)27A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr4µA @ 1200V
電容@ Vr,F359pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 20V

電容@ Vr,F

4050pF @ 5V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 10V, 1MHz

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.6V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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