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GWM120-0075P3

GWM120-0075P3

僅供參考

型號 GWM120-0075P3
PNEDA編號 GWM120-0075P3
描述 MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GWM120-0075P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GWM120-0075P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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GWM120-0075P3規格

制造商IXYS
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)118A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱ISOPLUS-DIL™
供應商設備包裝ISOPLUS-DIL™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

8W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

136mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

128pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

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