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H11A3W

H11A3W

僅供參考

型號 H11A3W
PNEDA編號 H11A3W
描述 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A3W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A3W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A3W, H11A3W數據表 (總頁數: 15, 大小: 210.41 KB)
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H11A3W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)100mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

400V

電流-輸出/通道

2mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

7% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

50% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 1.3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

300% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

1500% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

6500% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

100µs, 100µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

300V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 9µs

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

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-

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