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HAT2165HWS-E

HAT2165HWS-E

僅供參考

型號 HAT2165HWS-E
PNEDA編號 HAT2165HWS-E
描述 MOSFET N-CH LFPAK-5
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2165HWS-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2165HWS-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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HAT2165HWS-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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