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HS8K11TB

HS8K11TB

僅供參考

型號 HS8K11TB
PNEDA編號 HS8K11TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS8K11TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS8K11TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
HS8K11TB, HS8K11TB數據表 (總頁數: 19, 大小: 3,970.14 KB)
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HS8K11TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A, 11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝HSML3030L10

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA, 530mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

219A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 30mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

483nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 1000V

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