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IDH12G65C5XKSA2

IDH12G65C5XKSA2

僅供參考

型號 IDH12G65C5XKSA2
PNEDA編號 IDH12G65C5XKSA2
描述 DIODE SCHOTKY 650V 12A TO220-2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 12,252
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH12G65C5XKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH12G65C5XKSA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDH12G65C5XKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)12A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 12A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr190µA @ 650V
電容@ Vr,F360pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-1
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 250V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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