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IDT6116SA20TP

IDT6116SA20TP

僅供參考

型號 IDT6116SA20TP
PNEDA編號 IDT6116SA20TP
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT6116SA20TP資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT6116SA20TP
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT6116SA20TP, IDT6116SA20TP數據表 (總頁數: 11, 大小: 111.49 KB)
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IDT6116SA20TP規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝24-PDIP

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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