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IDT70P3337S233RMI

IDT70P3337S233RMI

僅供參考

型號 IDT70P3337S233RMI
PNEDA編號 IDT70P3337S233RMI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT70P3337S233RMI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT70P3337S233RMI
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT70P3337S233RMI, IDT70P3337S233RMI數據表 (總頁數: 20, 大小: 617.84 KB)
PDFIDT70P3337S250RM數據表 封面
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IDT70P3337S233RMI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率233MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.2ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱576-BBGA, FCBGA
供應商設備包裝576-FCBGA (25x25)

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-SOJ

CY7C1356CV25-166AXC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

NoBL™

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

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安裝類型

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