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IDT71P74604S200BQ8

IDT71P74604S200BQ8

僅供參考

型號 IDT71P74604S200BQ8
PNEDA編號 IDT71P74604S200BQ8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71P74604S200BQ8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71P74604S200BQ8
類別半導體內存IC內存
數據表
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IDT71P74604S200BQ8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

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-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

-

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

8-TSSOP

CY7C1381KVE33-133AXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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