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IPA65R150CFDXKSA1

IPA65R150CFDXKSA1

僅供參考

型號 IPA65R150CFDXKSA1
PNEDA編號 IPA65R150CFDXKSA1
描述 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 19,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA65R150CFDXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA65R150CFDXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA65R150CFDXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs86nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2340pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)34.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

277.8W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9100pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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