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IPA70R360P7SXKSA1

IPA70R360P7SXKSA1

僅供參考

型號 IPA70R360P7SXKSA1
PNEDA編號 IPA70R360P7SXKSA1
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA70R360P7SXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA70R360P7SXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA70R360P7SXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.4nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds517pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)26.4W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 36W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 780mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

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